Silizium-dotiertes Oxid auf Saphir überschreitet 7 eV – neuer Bandlückenrekord

Ein Team unter Leitung der Cornell University hat leitfähige Aluminiumgalliumoxid-Schichten auf Saphir mit Bandlücken über 7 eV hergestellt, mehr als bei kubischem Bornitrid. Eine Diode und ein Transistor funktionieren, doch die Bauelemente sind noch Machbarkeitsnachweise.