Prozessoren, Lithografie, Speicher und die Physik des Rechnens.
Ein Team unter Leitung der Cornell University hat leitfähige Aluminiumgalliumoxid-Schichten auf Saphir mit Bandlücken über 7 eV hergestellt, mehr als bei kubischem Bornitrid. Eine Diode und ein Transistor funktionieren, doch die Bauelemente sind noch Machbarkeitsnachweise.
Ein von KAIST geleitetes Forschungsteam hat eine leitfähige metallorganische Gerüstverbindung zu funktionierenden Transistor-Gates auf drei Halbleitern strukturiert. Ziel sind niedrigere Schaltspannungen, gezeigt hat die Veröffentlichung sie bislang jedoch nicht.
Auf seinem Technologie-Webinar am 21. Oktober kündigte Micron an, die planare 6F²-Zelle mit Wafer Bonding bei 1ε und später mit High-NA EUV weiter auszureizen und dann zu 3D-DRAM überzugehen. 4F²-Layouts lehnt das Unternehmen ab.
