Leitfähige MOF-Gates: Abstimmbarer Weg zu Transistoren mit niedrigerer Spannung

Ein von KAIST geleitetes Forschungsteam hat eine leitfähige metallorganische Gerüstverbindung zu funktionierenden Transistor-Gates auf drei Halbleitern strukturiert. Ziel sind niedrigere Schaltspannungen, gezeigt hat die Veröffentlichung sie bislang jedoch nicht.