Ossido drogato al silicio su zaffiro supera i 7 eV: nuovo record di bandgap

Un team guidato dalla Cornell ha realizzato film conduttivi di ossido di alluminio e gallio con bandgap superiore a 7 eV su zaffiro, oltre il nitruro di boro cubico. Un diodo e un transistor funzionano, ma i dispositivi sono ancora prove di concetto.