Processori, litografia, memorie e la fisica del calcolo.
Un team guidato dalla Cornell ha realizzato film conduttivi di ossido di alluminio e gallio con bandgap superiore a 7 eV su zaffiro, oltre il nitruro di boro cubico. Un diodo e un transistor funzionano, ma i dispositivi sono ancora prove di concetto.
Un gruppo guidato dal KAIST ha realizzato con pattern funzionanti gate di transistor in un metal-organic framework conduttivo, su tre semiconduttori. L'obiettivo è ridurre le tensioni di commutazione, ma lo studio non lo ha ancora dimostrato.
Nel webinar tecnologico del 21 ottobre Micron ha spiegato che estenderà la cella planare 6F² con il wafer bonding all'1ε e, più avanti, con la High-NA EUV, per poi passare alla DRAM 3D. Ha escluso i layout 4F².
