Micron setzt auf 6F²-Zellen, Wafer Bonding und High-NA EUV statt 4F²-DRAM

Auf seinem Technologie-Webinar am 21. Oktober kündigte Micron an, die planare 6F²-Zelle mit Wafer Bonding bei 1ε und später mit High-NA EUV weiter auszureizen und dann zu 3D-DRAM überzugehen. 4F²-Layouts lehnt das Unternehmen ab.