Un oxyde dopé au silicium sur saphir dépasse 7 eV, record de bande interdite

Une équipe dirigée par Cornell a produit des films conducteurs d'oxyde d'aluminium-gallium dont la bande interdite dépasse 7 eV sur saphir, soit plus que le nitrure de bore cubique. Une diode et un transistor fonctionnent, mais ces dispositifs restent des démonstrateurs de principe.