Processeurs, lithographie, mémoire et physique du calcul.
Une équipe dirigée par Cornell a produit des films conducteurs d'oxyde d'aluminium-gallium dont la bande interdite dépasse 7 eV sur saphir, soit plus que le nitrure de bore cubique. Une diode et un transistor fonctionnent, mais ces dispositifs restent des démonstrateurs de principe.
Des chercheurs menés par le KAIST ont structuré un réseau métallo-organique conducteur en grilles de transistors fonctionnelles sur trois semi-conducteurs. L'objectif est d'abaisser les tensions de commutation, mais l'article ne l'a pas encore démontré.
Lors de son webinaire technologique du 21 octobre, Micron a indiqué qu'il prolongera la cellule planaire 6F² grâce au collage de wafers dès le nœud 1ε, puis au High-NA EUV, avant de passer à la DRAM 3D. Le groupe écarte les architectures 4F².
