Micron punta su celle 6F², wafer bonding e High-NA EUV, non sulle DRAM 4F²

Nel webinar tecnologico del 21 ottobre Micron ha spiegato che estenderà la cella planare 6F² con il wafer bonding all'1ε e, più avanti, con la High-NA EUV, per poi passare alla DRAM 3D. Ha escluso i layout 4F².