DRAM : Micron mise sur le 6F², le collage de wafers et le High-NA EUV, pas le 4F²

Lors de son webinaire technologique du 21 octobre, Micron a indiqué qu'il prolongera la cellule planaire 6F² grâce au collage de wafers dès le nœud 1ε, puis au High-NA EUV, avant de passer à la DRAM 3D. Le groupe écarte les architectures 4F².